金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）因其高速開關、低導通電阻和高效能量轉換的特點，在電力電子、通信設備、汽車電子以及工業控制等領域得到了廣泛應用。然而，MOSFET在高功率應用場景下會產生大量熱量，若散熱不及時，會影響其性能和使用壽命。
因此，封裝材料的選擇至關重要。在MOSFET封裝中，鉬銅（Mo-Cu）合金憑藉其優異的熱導率、低熱膨脹係數（CTE）和良好的機械性能，成為關鍵的封裝材料之一。
在高功率和高頻應用中，MOSFET封裝需要滿足以下要求：
1.高導熱性
由於MOSFET工作時會產生熱量，封裝材料需要具備良好的熱導率，以便快速將熱量傳導至散熱器，防止器件過熱。
2.低熱膨脹係數匹配
MOSFET晶片通常由矽（Si）或碳化矽（SiC）製成，熱膨脹係數（CTE）較低（Si約為2.6 × 10??/K）。封裝材料的CTE應與晶片匹配，以減少熱迴圈過程中產生的介面應力，提高可靠性。
3.高機械強度和穩定性
MOSFET封裝材料需具備良好的機械強度，以應對封裝過程中以及工作環境中的機械應力，防止開裂或損壞。
4.優異的電性能
MOSFET在高頻、高功率條件下運行，封裝材料應具有良好的導電性，降低寄生電阻和功耗，提高電能轉換效率。
鉬銅合金在MOSFET封裝中的主要應用部件包括：
1.散熱片（Heat Spreader）
MOSFET在高功率運行時，散熱片的作用至關重要。Mo-Cu合金作為散熱片材料，可以高效地傳導MOSFET產生的熱量，降低晶片溫度，提高工作效率。
2.基板（Substrate）
在MOSFET封裝中，Mo-Cu合金基板可作為晶片與散熱片之間的熱緩衝層。
由於其良好的熱膨脹匹配性，Mo-Cu基板能有效減少介面熱應力，延長MOSFET的使用壽命。
3.引線框架（Lead Frame）
Mo-Cu合金可用于MOSFET封裝的引線框架，為晶片提供可靠的機械支撐，同時確保電流傳輸的低損耗。
