電晶體因具有回應速度快，準確性高的優勢，在我們平常熟悉的電器中廣泛使用，比如我們常用的電腦、手機、電視等等。打開電腦機箱，我們可以看到主板、CPU、記憶體、硬碟等部件，這些部件上集成了無數個小小的管件，起到檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製的作用，保障著電腦穩定高效地工作。手機和電腦的晶片中也都有其身影。該管一般包括二極體、三極管、場效應管、晶閘管等，可以用來放大電路信號或控制開關等。
該管的材料一般由矽、鍺、鎵、砷等製成，近年來，積體電路得到迅猛發展，對晶片的要求越來越高，要求體積越來越小、性能越來越強，在此影響下，集成在晶片中的該管要求也越來越高，摩爾定律說過積體電路上該管的密度每兩年就會翻一倍，這就要求其尺寸越來越小，尺寸小了，才能在積體電路上排列更多，才能生產出性能更強的晶片，其改進將為半導體工業的高速發展提供助力。
目前的矽電晶體的尺寸已經到了極限，無法再小於5納米了，研究者也一直在尋找性能更優越的材料來縮小尺寸，經過艱苦努力，他們發現碳納米管和二硫化鉬結合可以生產出尺寸極小的新型管件，尺寸僅有1納米。這是運用了什麼原理呢？一是二硫化鉬的晶格結構和矽不同，導電性沒有矽強，還有就是MoS2薄片的介電常數更低，在同樣的電場中貯存電子的能力更強，這兩點使MoS2中不容易發生隧穿電子現象，臨界尺寸也更小，才生產出了尺寸這麼小的電晶體。
