在現代電子工業中，高功率和高頻電子器件的散熱管理成為一個關鍵挑戰。隨著功率半導體、射頻器件和光電子產品的不斷發展，材料的選擇對封裝的可靠性和散熱性能起著至關重要的作用。鉬銅合金（Mo-Cu）因其優異的導熱性、低熱膨脹係數（CTE）以及良好的機械強度，成為電子封裝領域的重要材料之一。
鉬銅材料主要用於電子封裝中的熱沉材料和結構支撐材料，具體作用包括：
（1）提高散熱效率
電子器件在工作時會產生大量熱量，若不能及時散熱，將導致器件性能下降甚至失效。鉬銅具有較高的熱導率（通常在150-200 W/m·K），可有效將器件產生的熱量傳導至外部散熱系統，提高器件的工作穩定性。
（2）減少熱應力，提高可靠性
半導體材料（如矽Si、砷化鎵GaAs、碳化矽SiC）在溫度變化時會產生熱膨脹，而封裝材料的熱膨脹係數（CTE）若與其不匹配，會導致介面處產生應力，甚至出現裂紋。鉬銅的CTE可通過成分調整（如Mo70Cu30、Mo60Cu40）來匹配半導體材料，減少熱應力，提高器件的可靠性。
（3）增強結構強度和耐久性
相比單一金屬材料（如銅、鋁），鉬銅合金具有較高的機械強度和耐熱性能，適用于高溫高應力環境。在長期使用過程中，其能保持穩定的物理和化學性質，延長電子封裝的壽命。
（4）提高封裝的電氣性能
在射頻和微波電子器件中，鉬銅材料因其較低的電導率（相比純銅）可以減少寄生效應，提高電磁相容性（EMC），從而優化信號傳輸性能。
